文献
J-GLOBAL ID:201002046535406491
整理番号:80A0257894
高融点金属とシリコンの界面のイオン打込みによる変化
Interface modification of refractory metal-silicon structures by ion implantation.
著者 (3件):
WANG K L
(General Electric Corp., New York)
,
BACON F
(General Electric Corp., New York)
,
REIHL R F
(General Electric Corp., New York)
資料名:
J Vac Sci Technol
(Journal of Vacuum Science & Technology)
巻:
16
号:
6
ページ:
1909-1912
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0789A
ISSN:
0022-5355
CODEN:
JVSTA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)