文献
J-GLOBAL ID:201002048702254790
整理番号:80A0002620
分子ビームエピタキシー法によるGaAs成長時のドナー不純物源としてSnTeを利用
The use of SnTe as the source of donor impurities in GaAs grown by molecular beam epitaxy.
著者 (1件):
COLLINS D M
(Varian Assoc. Inc., California)
資料名:
Appl Phys Lett
(Applied Physics Letters)
巻:
35
号:
1
ページ:
67-70
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)