文献
J-GLOBAL ID:201002057870077240
整理番号:80A0081604
MOS素子の電界-時間依存性ゲート酸化膜降伏の予測
Prediction of field-time-dependent gate-oxide breakdown in MOS devices.
著者 (2件):
LI S P
(California Inst. Technology)
,
MESERJIAN J
(California Inst. Technology)
資料名:
Solid-State Electron
(Solid-State Electronics)
巻:
22
号:
11
ページ:
939-942
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
CODEN:
SSELA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)