文献
J-GLOBAL ID:201002063131406481
整理番号:80A0111846
外部量子効率が3倍もふえた新しい面発光GaInAsP 1.3μmLED
A new surface emitting GaInAsP 1.3ΜM LED with up to threefold enhancement in external quantum efficiency.
著者 (3件):
CARTER A C
(Plessey Research (Caswell) Ltd., England)
,
GOODFELLOW R C
(Plessey Research (Caswell) Ltd., England)
,
GRIFFITH I
(Plessey Research (Caswell) Ltd., England)
資料名:
Tech Dig Int Electron Devices Meet
(International Electron Devices Meeting)
巻:
1979
ページ:
118-121
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0829B
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)