文献
J-GLOBAL ID:201002064065492386
整理番号:80A0036726
シリコン中の結合電子分布
Bonding electron distribution in silicon.
著者 (1件):
FEHLMANN M
(Inst. Kristallographie Petrographie, Switzerland)
資料名:
J Phys Soc Jpn
(Journal of the Physical Society of Japan)
巻:
47
号:
1
ページ:
225-231
発行年:
1979年
JST資料番号:
G0509A
ISSN:
0031-9015
CODEN:
JUPSA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)