文献
J-GLOBAL ID:201002064834483808
整理番号:80A0247688
ニオブ薄膜におけるイオンによるけい化物の形成
Ion-induced silicide formation in niobium thin films.
著者 (3件):
MATTESON S
(California Inst. Technology)
,
ROTH J
(California Inst. Technology)
,
NICOLET M-A
(California Inst. Technology)
資料名:
Radiat Eff
(Radiation Effects)
巻:
42
号:
3/4
ページ:
217-226
発行年:
1979年
JST資料番号:
A0224A
ISSN:
0033-7579
CODEN:
RAEFB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)