文献
J-GLOBAL ID:201002065107783722
整理番号:80A0370539
ほう素およびりんのシリコンへの深い拡散の結果
Some results on deep diffusion of boron and phosphorus into silicon.
著者 (3件):
KORDE R S
(Indian Inst. Technology)
,
GOSWAMI P N
(Indian Inst. Technology)
,
TYAGI M S
(Indian Inst. Technology)
資料名:
J Inst Electron Telecommun Eng
(Journal of the Institution of Telecommunication Engineers)
巻:
25
号:
6
ページ:
251-254
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0312A
ISSN:
0377-2063
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
インド (IND)
言語:
英語 (EN)