文献
J-GLOBAL ID:201002069328956449
整理番号:80A0039925
エピタキシャルシリコンの化学蒸着におけるドーピング元素混入の温度に対する依存性 III Si-P-H系の経験的な混入曲線
Dependence of doping element incorporation on temperature in the chemical vapour deposition of epitaxial silicon. III. Empirical incorporation characteristic of the Si-P-H system.
著者 (1件):
KUEHNE H
(Inst. Physik der Werkstoffbearbeitung Berlin-Rahnsdorf, Akademie der Wissenschaften der DDR)
資料名:
Krist Tech
(Kristall und Technik)
巻:
14
号:
4
ページ:
413-420
発行年:
1979年
JST資料番号:
B0738A
ISSN:
0023-4753
CODEN:
KRTEA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
東ドイツ (DDR)
言語:
英語 (EN)