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文献
J-GLOBAL ID：201002069548880540
整理番号：77A0347087
Si中の少数キャリア寿命時間と拡散距離の測定のための無接触非破壊技術
Contactless nondestructive technique for the measurement of minority-carrier lifetime and diffusion length in silicon.
WHITE J C
,
UNTER T F
,
SMITH J G
資料名：
IEE J Solid State Electron Devices
(IEE Journal on Solid-State and Electron Devices)
巻： 1 号： 5 ページ： 139-145 発行年： 1977年
JST資料番号： E0699A ISSN： 0308-6968 CODEN： IJSDD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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