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文献
J-GLOBAL ID：201002072236721497
整理番号：80A0111847
1.2〜1.3μm波長における高発光InGaAsP/InP LEDの劣化
Degradation of high radiance InGaAsP/InP LEDs at 1.2-1.3μm wavelength.
YAMAKOSHI S
(Fujitsu Lab. Ltd., Kawasaki)
,
ABE M
(Fujitsu Lab. Ltd., Kawasaki)
,
KOMIYA S
(Fujitsu Lab. Ltd., Kawasaki)
,
TOYAMA Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Kawasaki)
資料名：
Tech Dig Int Electron Devices Meet
(International Electron Devices Meeting)
巻： 1979 ページ： 122-125 発行年： 1979年
JST資料番号： C0829B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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