文献
J-GLOBAL ID:201002073564429481
整理番号:80A0002625
液相エピタキシー成長In1-xGaxAsyP1-y層のバックグラウンドキャリア濃度と電子移動度
Background carrier concentration and electron mobility in LPE In1-xGaxAsyP1-y layers.
著者 (5件):
GREENE P D
(Standard Telecommunication Lab., United Kingdom)
,
WHEELER S A
(Standard Telecommunication Lab., United Kingdom)
,
ADAMS A R
(Univ. Surrey, United Kingdom)
,
El-SABBAHY A N
(Univ. Surrey, United Kingdom)
,
AHMAD C N
(Univ. Surrey, United Kingdom)
資料名:
Appl Phys Lett
(Applied Physics Letters)
巻:
35
号:
1
ページ:
78-80
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)