文献
J-GLOBAL ID:201002073916311567
整理番号:80A0315306
MOS構造中の放射線誘起損傷の高感度プロフィル非破壊測定
High sensitivity non-destructive profiling of radiation induced damage in MOS structures.
著者 (3件):
FERRETTI R
(Hahn-Meitner-Inst. Kernforschung Berlin GmbH)
,
FAHRNER W R
(Hahn-Meitner-Inst. Kernforschung Berlin GmbH)
,
BRAEUNIG D
(Hahn-Meitner-Inst. Kernforschung Berlin GmbH)
資料名:
IEEE Trans Nucl Sci
(IRE Transactions on Nuclear Science)
巻:
26
号:
6
ページ:
4828-4832
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)