文献
J-GLOBAL ID:201002074863269691
整理番号:80A0127242
非晶質半導体中におけるドリフト移動度の活性化エネルギーのサイズや電場による変化
Size and field variation of the activation energy for the drift mobility in amorphous semiconductors.
著者 (2件):
ARKHIPOV V I
(Moscow Engineering Physics Inst.)
,
RUDENKO A I
(Moscow Engineering Physics Inst.)
資料名:
Sov Tech Phys Lett
(Soviet Technical Physics Letters)
巻:
5
号:
5
ページ:
251-252
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0665A
ISSN:
0360-120X
CODEN:
STPLD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)