文献
J-GLOBAL ID:201002076514247527
整理番号:80A0052060
E2FAMOS-電気的消去可能再プログラム可能電荷貯蔵素子
E2FAMOS - An electrically eraseable reprogrammable charge storage device.
著者 (3件):
YARON G
(Hebrew Univ. Jerusalem, Israel)
,
LUKASZEK W A
(Intel Corp., CA)
,
FROHMAN-BENTCHKOWSKY D
(Hebrew Univ. Jerusalem, Israel)
資料名:
IEEE Trans Electron Devices
(IRE Transactions on Electron Devices)
巻:
26
号:
11
ページ:
1754-1759
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)