文献
J-GLOBAL ID:201002076958583060
整理番号:80A0145366
He-H2ふん囲気でSiH4を使用したヘテロエピタクシーSi成長
Heteroepitaxial silicon growth using SiH4 in helium-hydrogen atmospheres.
著者 (1件):
MANASEVIT H M
(Rockwell International Corp., California)
資料名:
J Electrochem Soc
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
126
号:
10
ページ:
1785-1789
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
0013-4651
CODEN:
JESOA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)