文献
J-GLOBAL ID:201002078124247308
整理番号:80A0127631
プロトンで照射されたシリコンの複空格子点
Divacancy in silicon irradiated by protons.
著者 (3件):
MUKASHEV B N
(Inst. High Energy Physics, Academy of Sciences of the Kazakh SSR)
,
NUSSUPOV K H
(Inst. High Energy Physics, Academy of Sciences of the Kazakh SSR)
,
TAMENDAROV M F
(Inst. High Energy Physics, Academy of Sciences of the Kazakh SSR)
資料名:
Phys Status Solidi B
(Physica Status Solidi)
巻:
96
号:
1
ページ:
K17-K19
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
東ドイツ (DDR)
言語:
英語 (EN)