文献
J-GLOBAL ID:201002078474663053
整理番号:80A0259597
室温におけるInSbのピンチ効果
Pinch effect in InSb at room temperature.
著者 (2件):
MALYUTENKO V K
(Inst. Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukrainian SSR, USSR)
,
KOLLYUKH A G
(Inst. Semiconductors, Academy of Sciences of the Ukrainian SSR, USSR)
資料名:
Sov Tech Phys Lett
(Soviet Technical Physics Letters)
巻:
5
号:
7
ページ:
368-369
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0665A
ISSN:
0360-120X
CODEN:
STPLD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)