文献
J-GLOBAL ID:201002080374452939
整理番号:80A0171995
GaAsへのイオンインプランテーション
Ion implantation into GaAs.
著者 (3件):
AGASHE V V
(Solid State Physics Lab., Delhi)
,
GUPTA S C
(Solid State Physics Lab., Delhi)
,
JAIN B P
(Solid State Physics Lab., Delhi)
資料名:
Indian J Pure Appl Phys
(Indian Journal of Pure & Applied Physics)
巻:
17
号:
5
ページ:
287-289
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0728A
ISSN:
0019-5596
CODEN:
IJOPA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
インド (IND)
言語:
英語 (EN)