文献
J-GLOBAL ID:201002080602521032
整理番号:80A0108983
GaAs(001)上のAlエピタキシャル成長の研究における新しい結果
New results in the study of the aluminium epitaxial growth on gallium arsenide(001).
著者 (3件):
MASSIES J
(Thomson-CSF Central Research Lab., France)
,
CHAPLART J
(Thomson-CSF Central Research Lab., France)
,
LINH N T
(Thomson-CSF Central Research Lab., France)
資料名:
Solid State Commun
(Solid State Communications)
巻:
32
号:
8
ページ:
707-709
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
CODEN:
SSCOA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)