文献
J-GLOBAL ID:201002081148920900
整理番号:80A0069643
アルミニウム薄膜におけるけい素再成長を極小化する方法
Methods for minimizing silicon regrowth in aluminum films.
著者 (2件):
LEARN A J
(Intel Corp., California)
,
NOWICKI R S
(Intel Corp., California)
資料名:
Appl Phys Lett
(Applied Physics Letters)
巻:
35
号:
8
ページ:
611-614
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)