文献
J-GLOBAL ID:201002082806144656
整理番号:80A0032437
無定形シリコンでの活性化電荷輸送に対するホッピング模型
A hopping model for activated charge transport in amorphous silicon.
著者 (2件):
GRUENEWALD M
(Philipps-Univ., Marburg)
,
THOMAS P
(Philipps-Univ., Marburg)
資料名:
Phys Status Solidi B
(Physica Status Solidi)
巻:
94
号:
1
ページ:
125-133
発行年:
1979年
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
東ドイツ (DDR)
言語:
英語 (EN)