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文献
J-GLOBAL ID：201002082821290197
整理番号：80A0152029
レーザアニールを行ったイオン注入Siにおける電気的性質と融解しきい値の関係
Relationships of electrical properties and melting threshold in laser-annealed ion-implanted silicon.
WANG K L
(General Electric, New York)
,
LIU Y S
(General Electric, New York)
,
BURMAN C
(State Univ. New York at Albany)
資料名：
Appl Phys Lett
(Applied Physics Letters)
巻： 35 号： 3 ページ： 263-265 発行年： 1979年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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