文献
J-GLOBAL ID:201002084185797165
整理番号:80A0063931
フォトリソグラフィー技術及びTa2O5ゲート酸化物を用いた高圧薄膜トランジスタ
High voltage thin film transistors manufactued with photolithography and with Ta2O5 as the gate oxide.
著者 (2件):
KALLFASS T
(Univ. Stuttgart, F.R.G.)
,
LUEDER E
(Univ. Stuttgart, F.R.G.)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
61
号:
2
ページ:
259-264
発行年:
1979年
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
CODEN:
THSFA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)