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文献
J-GLOBAL ID：201002084534136953
整理番号：79A0336559
Si基板と遷移金属薄膜界面における金属-半導体転移と最初の化合物核発生の関係
Relationship of ’metal-semiconductor transition’ to first compound nucleation at the interface of a thin film transition metal on a silicon substrate.
BENE ́ R W
,
WALSER R M
,
HU J C
資料名：
Inst Phys Conf Ser
(Institute of Physics Conference Series)
号： 43 ページ： 773-776 発行年： 1979年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSA 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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