文献
J-GLOBAL ID:201002091699845998
整理番号:80A0267503
けい素p-n接合の遅延降伏におけるサブナノ秒の電流降下
Subnanosecond current drops in delayed breakdown of silicon p-n junctions.
著者 (2件):
GREKHOV I V
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst. Academy of Sciences of the USSR)
,
KARDO-SYSOEV A F
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst. Academy of Sciences of the USSR)
資料名:
Sov Tech Phys Lett
(Soviet Technical Physics Letters)
巻:
5
号:
8
ページ:
395-396
発行年:
1979年
JST資料番号:
H0665A
ISSN:
0360-120X
CODEN:
STPLD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)