文献
J-GLOBAL ID:201002093390803509
整理番号:80A0041035
GaAsSb/GaAlAsSbダブルヘテロ構造レーザの成長と特性
Growth and properties of GaAsSb/GaAlAsSb double heterostructure lasers.
著者 (4件):
CHAMINANT C
(Centre National D’<span style=text-decoration:overline>E ́</span>tudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)
,
CHARIL J
(Centre National D’<span style=text-decoration:overline>E ́</span>tudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)
,
BOULEY J-C
(Centre National D’<span style=text-decoration:overline>E ́</span>tudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)
,
RAO E V K
(Centre National D’<span style=text-decoration:overline>E ́</span>tudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)
資料名:
IEE J Solid State Electron Devices
(IEE Journal on Solid-State and Electron Devices)
巻:
3
号:
6
ページ:
196-200
発行年:
1979年
JST資料番号:
E0699A
ISSN:
0308-6968
CODEN:
IJSDD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)