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文献
J-GLOBAL ID：201002099022836195
整理番号：78A0071029
Beイオン注入GaAsにおける光ルミネセンススペクトルへの注入物深さ分布の効果
Effects of implantant depth distribution on photoluminescence spectra in Be-implanted GaAs.
BISHOP S G
,
COMAS J
,
SUNDARAM S
,
McCOMBE B D
資料名：
Appl Phys Lett
(Applied Physics Letters)
巻： 31 号： 12 ページ： 845-847 発行年： 1977年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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