文献
J-GLOBAL ID:201002201242166386
整理番号:10A0846303
N極性InAlN/AlN/GaN MIS-HEMTs
N-Polar InAlN/AlN/GaN MIS-HEMTs
著者 (6件):
BROWN David F.
(Univ. California, CA, USA)
,
NIDHI
(Univ. California, CA, USA)
,
WU Feng
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER Stacia
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS Steven P.
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
31
号:
8
ページ:
800-802
発行年:
2010年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)