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文献
J-GLOBAL ID：201002201402034511
整理番号：10A0680395
ゲルマニウムを基本とする金属-酸化物-半導体素子への応用を目指したハイ-kゲート誘電体としての酸化イットリウムスカンジウム
Yttrium-scandium oxide as high-k gate dielectric for germanium metal-oxide-semiconductor devices
BERA M K
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
SONG J
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
AHMET P
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KAKUSHIMA K
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
TSUTSUI K
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
SUGII N
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
HATTORI T
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
IWAI H
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 25 号： 6 ページ： 065008,1-7 発行年： 2010年06月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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