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文献
J-GLOBAL ID：201002203064635671
整理番号：10A1012833
電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタリング法で堆積したSiO2を用いたInGaAsを基本とする金属-酸化物-半導体型コンデンサーの界面特性に対するInGaAs表面の窒化の影響
Impact of InGaAs surface nitridation on interface properties of InGaAs metal-oxide-semiconductor capacitors using electron cyclotron resonance plasma sputtering SiO2
HOSHII T.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
YOKOYAMA M.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
YAMADA H.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN)
,
HATA M.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN)
,
YASUDA T.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
TAKENAKA M.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAKAGI S.
(Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 97 号： 13 ページ： 132102 発行年： 2010年09月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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