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文献
J-GLOBAL ID：201002205253723916
整理番号：10A0978281
Si界面薄層を有するHfO2系GaAs金属-酸化膜-半導体(MOS)容量の信頼性と破壊特性
Reliability and breakdown characteristics of HfO2-based GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors with a thin Si interface layer
DAS T.
(Indian Inst. Technol., Kharagpur, IND)
,
MAHATA C.
(Indian Inst. Technol., Kharagpur, IND)
,
DALAPATI G. K
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP)
,
CHI D.
(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP)
,
SUTRADHAR G.
(Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
BOSE P. K.
(Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
,
MAITI C. K.
(Indian Inst. Technol., Kharagpur, IND)
資料名：
Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits
(Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 17th ページ： 122-125 発行年： 2010年
JST資料番号： W1259A ISSN： 1946-1542 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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