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文献
J-GLOBAL ID：201002208099214034
整理番号：10A1041239
ウェットウエハボンディングにより作製したGe/Siヘテロ接合の結晶性質
Crystallographic Properties of Ge/Si Heterojunctions Fabricated by Wet Wafer Bonding
KANBE Hiroshi
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
HIROSE Mami
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
ITO Tatsuya
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
TANIWAKI Masafumi
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 39 号： 8 ページ： 1248-1255 発行年： 2010年08月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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