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文献
J-GLOBAL ID：201002208866233791
整理番号：10A0846324
Si基板上の引張り歪Geエピタキシャル層上に形成したニッケルゲルマニウム合金の熱安定性
Thermal Stability of Nickel Germanide Formed on Tensile-Strained Ge Epilayer on Si Substrate
TANG Mengrao
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
HUANG Wei
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
LI Cheng
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
LAI Hongkai
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
,
CHEN Songyan
(Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 31 号： 8 ページ： 863-865 発行年： 2010年08月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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