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文献
J-GLOBAL ID：201002209553600706
整理番号：10A0253072
単一GaNナノワイヤの高度に偏光したRaman散乱異方性
Highly polarized Raman scattering anisotropy in single GaN nanowires
SCHAEFER-NOLTE E. O.
(Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN-1), Res. Centre Juelich GmbH and JARA-FIT (Fundamentals of Future Information ...)
,
STOICA T.
(Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN-1), Res. Centre Juelich GmbH and JARA-FIT (Fundamentals of Future Information ...)
,
GOTSCHKE T.
(Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN-1), Res. Centre Juelich GmbH and JARA-FIT (Fundamentals of Future Information ...)
,
LIMBACH F.
(Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN-1), Res. Centre Juelich GmbH and JARA-FIT (Fundamentals of Future Information ...)
,
SUTTER E.
(Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Lab., Upton, New York 11973, USA)
,
SUTTER P.
(Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Lab., Upton, New York 11973, USA)
,
CALARCO R.
(Inst. of Bio- and Nanosystems (IBN-1), Res. Centre Juelich GmbH and JARA-FIT (Fundamentals of Future Information ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 9 ページ： 091907 発行年： 2010年03月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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