文献
J-GLOBAL ID:201002210123984282
整理番号:10A0937389
ヘテロ構造ゲート誘電膜トンネリング電界効果型トランジスタ
Hetero-Gate-Dielectric Tunneling Field-Effect Transistors
著者 (2件):
CHOI Woo Young
(Sogang Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Woojun
(Sogang Univ., Seoul, KOR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
9
ページ:
2317-2319
発行年:
2010年09月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)