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文献
J-GLOBAL ID：201002210726890010
整理番号：10A0362078
100アンペア(A)以上で動作する高い絶縁破壊電圧を持つSi基板上のノーマリーオフAlGaN/GaNハイブリッドMOS-FET
Over 100A operation normally-off AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET on Si substrate with high-breakdown voltage
KAMBAYASHI Hiroshi
(Advanced Power Device Res. Assoc., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
,
SATOH Yoshihiro
(Advanced Power Device Res. Assoc., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
,
OOTOMO Shinya
(Yokohama R&D Laboratories, Furukawa Electric Co., Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
,
KOKAWA Takuya
(Advanced Power Device Res. Assoc., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
,
NOMURA Takehiko
(Advanced Power Device Res. Assoc., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
,
KATO Sadahiro
(Advanced Power Device Res. Assoc., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN)
,
CHOW Tat-sing Pawl
(The Center for Integrated Electronics, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 54 号： 6 ページ： 660-664 発行年： 2010年06月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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