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文献
J-GLOBAL ID：201002212284804465
整理番号：10A1539082
リンドープシリコン二重量子ドットにおける電荷検出
Charge detection in phosphorus-doped silicon double quantum dots
ROSSI A.
(Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR)
,
FERRUS T.
(Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR)
,
PODD G. J.
(Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR)
,
WILLIAMS D. A.
(Hitachi Cambridge Lab., J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 97 号： 22 ページ： 223506 発行年： 2010年11月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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