文献
J-GLOBAL ID:201002212828553844
整理番号:10A1124746
ソース/ドレイン電極として酸化インジウムスズ/グラフェン多層を用いる完全透明InGaZnO薄膜トランジスタ
Fully transparent InGaZnO thin film transistors using indium tin oxide/graphene multilayer as source/drain electrodes
著者 (8件):
SEO David
(Solid State and Photonics Lab., Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
,
JEON Sanghun
(Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...)
,
SEO Sunae
(Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...)
,
SONG Ihun
(Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...)
,
KIM Changjung
(Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...)
,
PARK Sungho
(Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...)
,
HARRIS James S.
(Solid State and Photonics Lab., Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
,
CHUNG U.-in
(Semiconductor Devices Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol. (SAIT), Mt 14-1, Nongseo-ri, Kihung-up, Yongin-si ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
97
号:
17
ページ:
172106
発行年:
2010年10月25日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)