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文献
J-GLOBAL ID：201002214616010053
整理番号：10A1134902
広井戸InGaN二重ヘテロ構造発光ダイオードの効率低下に及ぼす非対称AlGaN障壁の影響
Effect of an asymmetry AlGaN barrier on efficiency droop in wide-well InGaN double-heterostructure light-emitting diodes
LIN Ray-ming
(Graduate Inst. of Electronic Engineering and Green Technol. Res. Center, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan)
,
LAI Mu-jen
(Graduate Inst. of Electronic Engineering and Green Technol. Res. Center, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan)
,
CHANG Liann-be
(Graduate Inst. of Electronic Engineering and Green Technol. Res. Center, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan)
,
HUANG Chou-hsiung
(Graduate Inst. of Electronic Engineering and Green Technol. Res. Center, Chang Gung Univ., Taoyuan 333, Taiwan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 97 号： 18 ページ： 181108 発行年： 2010年11月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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