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文献
J-GLOBAL ID：201002215197667159
整理番号：10A0840284
付加的遮断ゲートを持つ高度にスケール可能な三次元NAND-NOR混成型二ビット/セルのフラッシュメモリ素子
Highly Scalable 3-D NAND-NOR Hybrid-Type Dual Bit per Cell Flash Memory Devices with an Additional Cut-Off Gate
CHO Seongjae
(Seoul National Univ., Seoul)
,
SHIM Won Bo
(Seoul National Univ., Seoul)
,
PARK Il Han
(Seoul National Univ., Seoul)
,
KIM Yoon
(Seoul National Univ., Seoul)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul)
資料名：
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻： 56 号： 1 ページ： 137-141 発行年： 2010年01月15日
JST資料番号： T0357A ISSN： 0374-4884 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 韓国 (KOR) 言語： 英語 (EN)
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