文献
J-GLOBAL ID:201002216018113916
整理番号:10A1148866
インデントによるケイ素ウエハ転位源と滑り帯の核形成
Dislocation sources and slip band nucleation from indents on silicon wafers
著者 (13件):
WITTGE J.
(Univ. Freiburg, Freiburg, DEU)
,
DANILEWSKY A. N.
(Univ. Freiburg, Freiburg, DEU)
,
ALLEN D.
(Dublin City Univ., Dublin, IRL)
,
MCNALLY P.
(Dublin City Univ., Dublin, IRL)
,
LI Z.
(Karlsruhe Inst. of Technol., Karlsruhe, DEU)
,
BAUMBACH T.
(Karlsruhe Inst. of Technol., Karlsruhe, DEU)
,
GOROSTEGUI-COLINAS E.
(Univ. Navarra, San Sebastian, ESP)
,
GARAGORRI J.
(Univ. Navarra, San Sebastian, ESP)
,
ELIZALDE M. R.
(Univ. Navarra, San Sebastian, ESP)
,
JACQUES D.
(Jordan Valley Semiconductor (UK), Durham, GBR)
,
FOSSATI M. C.
(Univ. Durham, Durham, GBR)
,
BOWEN D. K.
(Univ. Durham, Durham, GBR)
,
TANNER B. K.
(Univ. Durham, Durham, GBR)
資料名:
Journal of Applied Crystallography
(Journal of Applied Crystallography)
巻:
43
号:
5,No.1
ページ:
1036-1039
発行年:
2010年10月
JST資料番号:
D0631A
ISSN:
0021-8898
CODEN:
JACGAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)