文献
J-GLOBAL ID:201002216821223402
整理番号:10A1021666
幅広縞選択領域の機金属気相エピタキシーにより作製したモノリシック集積InGaNベース多色発光ダイオード
Monolithically Integrated InGaN-Based Multicolor Light-Emitting Diodes Fabricated by Wide-Stripe Selective Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
著者 (4件):
SHIODA Tomonari
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SUGIYAMA Masakazu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIMOGAKI Yukihiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAKANO Yoshiaki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
3
号:
9
ページ:
092104.1-092104.3
発行年:
2010年09月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)