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文献
J-GLOBAL ID:201002217449198800   整理番号:10A0924550

短絡回路試験下のD級増幅器とロバスト性ドライバー素子の低側ドライバーの不良機構

LOW-SIDE DRIVER’S FAILURE MECHANISM IN A CLASS-D AMPLIFIER UNDER SHORT CIRCUIT TEST AND A ROBUST DRIVER DEVICE
著者 (4件):
LEE Jian-Hsing
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)
SHIH J. R.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)
ONG Tong-Chern
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)
WU Kenneth
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)

資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)

巻: 2010 Vol.1  ページ: 182-187  発行年: 2010年 
JST資料番号: A0631A  ISSN: 1541-7026  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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