文献
J-GLOBAL ID:201002217449198800
整理番号:10A0924550
短絡回路試験下のD級増幅器とロバスト性ドライバー素子の低側ドライバーの不良機構
LOW-SIDE DRIVER’S FAILURE MECHANISM IN A CLASS-D AMPLIFIER UNDER SHORT CIRCUIT TEST AND A ROBUST DRIVER DEVICE
著者 (4件):
LEE Jian-Hsing
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)
,
SHIH J. R.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)
,
ONG Tong-Chern
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)
,
WU Kenneth
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
2010 Vol.1
ページ:
182-187
発行年:
2010年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)