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文献
J-GLOBAL ID：201002217616982941
整理番号：10A0924566
32nm high-κと金属ゲート論理トランジスタ技術の信頼性評価
Reliability Characterization of 32nm High-K and Metal-Gate Logic Transistor Technology
PAE Sangwoo
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
ASHOK Ashwin
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
CHOI Jingyoo
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
GHANI Tahir
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
HE Jun
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
LEE Seok-Hee
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
LEMAY Karen
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
LIU Mark
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
LU Ryan
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
PACKAN Paul
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
PARKER Chris
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
PURSER Richard
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
ST. AMOUR Anthony
(Intel Corp., Oregon, USA)
,
WOOLERY Bruce
(Intel Corp., Oregon, USA)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.1 ページ： 287-292 発行年： 2010年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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