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文献
J-GLOBAL ID：201002217689642359
整理番号：10A0134498
GaN系発光ダイオードのOhm接触技術: P型接触の役割
Ohmic-Contact Technology for GaN-Based Light-Emitting Diodes: Role of P-Type Contact
SONG June O
(LG Innotek (LGIT), Gwangju, KOR)
,
HA Jun-Seok
(Univ. California, CA, USA)
,
SEONG Tae-Yeon
(Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57 号： 1 ページ： 42-59 発行年： 2010年01月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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