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文献
J-GLOBAL ID：201002217759570296
整理番号：10A0048990
直接ウエハボンディングを用いて作製したSi上の薄体III-V半導体オン絶縁体金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ
Thin Body III-V-Semiconductor-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Fabricated Using Direct Wafer Bonding
YOKOYAMA Masafumi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YASUDA Tetsuji
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TAKAGI Hideki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMADA Hisashi
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
FUKUHARA Noboru
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
HATA Masahiko
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SUGIYAMA Masakazu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAKANO Yoshiaki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAGI Shinichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 12 ページ： 124501.1-124501.3 発行年： 2009年12月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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