文献
J-GLOBAL ID:201002217989234767
整理番号:10A0024603
4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長
High rate growth of GaN using 4 inch×11 multi wafer MOVPE reactor (UR25K)
著者 (13件):
矢野良樹
(大陽日酸)
,
池永和正
(大陽日酸)
,
徳永裕樹
(大陽日酸)
,
山本淳
(大陽日酸イー・エム・シー)
,
田渕俊也
(大陽日酸)
,
内山康右
(大陽日酸イー・エム・シー)
,
山口晃
(大陽日酸)
,
福田靖
(大陽日酸)
,
生方映徳
(大陽日酸)
,
原田康博
(大陽日酸イー・エム・シー)
,
伴雄三郎
(大陽日酸イー・エム・シー)
,
松本功
(大陽日酸イー・エム・シー)
,
山崎利明
(大陽日酸)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
109
号:
289(CPM2009 102-133)
ページ:
93-96
発行年:
2009年11月12日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)