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文献
J-GLOBAL ID：201002218236608156
整理番号：10A0031436
強誘電半導体の分極で誘起された空乏領域の証拠
Evidences for the depletion region induced by the polarization of ferroelectric semiconductors
YUAN Guo-liang
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Nanjing Univ. of Sci. and Technol., Nanjing 210094, People’s Republic of ...)
,
WANG Junling
(School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798, SGP)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 95 号： 25 ページ： 252904 発行年： 2009年12月21日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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