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文献
J-GLOBAL ID：201002218240771487
整理番号：10A0525325
溶解過程を用いることにより作成された単一壁カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ
Single-walled Carbon Nanotube Thin Film Transistor Made by Using Solution Process
YI Xun
(Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN)
,
OZAWA Hiroaki
(Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN)
,
NAKAGAWA Gou
(Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN)
,
FUJIGAYA Tsuyohiko
(Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN)
,
NAKASHIMA Naotoshi
(Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN)
,
ASANO Tanemasa
(Kyushu Univ., Fukuoka-city, JPN)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110 号： 15(SDM2010 1-16) ページ： 67-70 発行年： 2010年04月16日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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