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文献
J-GLOBAL ID：201002218825420175
整理番号：10A0133844
ホットワイヤタングステン触媒により生成された原子水素を用いたフォトレジスト除去速度の基板温度依存性
Substrate Temperature Dependence of the Photoresist Removal Rate Using Atomic Hydrogen Generated by a Hot-Wire Tungsten Catalyst
YAMAMOTO Masashi
(Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN)
,
MARUOKA Takeshi
(Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN)
,
KONO Akihiko
(Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN)
,
HORIBE Hideo
(Kanazawa Inst. Technol., Ishikawa, JPN)
,
UMEMOTO Hironobu
(Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 1,Issue 1 ページ： 016701.1-016701.6 発行年： 2010年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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